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学外者利用可能設備一覧

二フッ化キセノン(XeF2)エッチング装置

概要

設備名称 二フッ化キセノン(XeF2)エッチング装置
設置場所 工学部6号館312室 (小金井キャンパス)
型式 Samco社製 VPE-4F
概要 設備名:二フッ化キセノンエッチング装置

設備の特徴(何をする設備or何ができる設備):
 シリコンをフッ素ラジカルのガスでエッチングする装置。MEMSデバイスのドライリリース(犠牲層エッチング)等が可能。

設備メーカー名:Samco社

仕様:VPE-4F

利用制限(サンプルの種類、操作上の制限など):
 基板サイズ:~φ4インチ、または小片。ガラス基板可
 マスク材・基板種類は応相談

利用・予約方法

利用・予約方法 ネットワーク予約
備考欄 大学連携ネットワーク利用者以外の方は、設備管理者また本学 学術研究支援総合センター 設備サポート室まで直接、メールでお問い合わせください。

料金

利用料金 3,700円/時間
トレーニング料金 Max  1,400円/時間

管理者情報

管理者 岩見 健太郎
メールアドレス k_iwamicc.tuat.ac.jp (迷惑メール防止のため「@」が画像になっております。)
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