学外者利用可能設備について

学外者利用可能設備一覧

設備一覧を見る

核磁気共鳴

質量分析

X線分析

電子顕微鏡

プローブ顕微鏡

光学顕微鏡

分光分析

クロマト系分析

光・レーザー

バイオ関連分析

摩耗・粉砕・乾燥・蒸着・コーティング・表面加工

動植物育成・培養・発酵

表・界面・粒子・粉体測定

計測・測定

電源・増幅

データ処理・解析&ソフトウェア

加熱・冷却・真空

自動車関連

その他

RSS

お問い合わせ窓口

お問い合わせ先

学術研究支援総合センター
設備サポート室

電話番号

042-388-7893

FAX番号

042-388-7188

受付時間

9:00~17:00(土・日・祝日休み)

メールでのお問い合わせはこちら

トップページ > 学外者利用可能設備一覧 > 電子線描画装置

学外者利用可能設備一覧

電子線描画装置

概要

設備名称 電子線描画装置
設置場所 先端産学連携研究推進センター113-114号室 (小金井キャンパス)
型式 日本電子株式会社 JEOL JBX-6300
概要 【設備の特徴】
 電子ビーム描画装置は電子銃から発せられた電子線を電子光学系を通し、マスクブランクスへ照射し、XYZステージを制御しながら目的のパターンを露光する装置である。
 本装置はサーマルフィールドエミッション電子銃(Zr/O/W)を搭載したスポットビームベクタスキャン方式の電子ビーム描画装置で、加速電圧の切り替えが可能で、最大加速電圧100kVで8nmの微細パターンを形成可能。また、自動で高さ測定し、この高さ情報から焦点合わせが可能で、更に、予め設定されたファイルを読み込むことで、マーク検出から描画まで自動で行うことができる。

【主な用途】
 半導体素子の生産、研究開発

【基本仕様】
 電子銃:サーマルフィールドエミッション電子銃
 加速電圧:25kV,50kV,100kV
 ビーム径:スポットビーム、 最少ビーム径:2.1nm@100kV
 描画性能:最少線幅 ≦8nm (100kV,高分解能描画モード)
 ステージ移動:
     方式  :ステップ&リピート
     位置制御:レーザー測長システムによる位置制御
     制御単位:λ/1024(約0.6nm)
     移動範囲:190mm×170mm
     描画範囲:150mm×150mm
     移動速度:10mm/sec(最大)
  最大試料サイズ:200mmウエハ及び6型(インチ)ブランクスの装填可能

【注意事項】半導体や石英基板などの無機物の基板、ガラス製のフォトマスクの描画が中心です。描画可能かどうかは問い合わせてください。利用規程に従い、カセットを適切に使用して描画ください。本装置はクリーンルーム内に設置されていますので安全講習会を受講の上、管理責任者が指定するユーザーから装置の利用講習を受けた後で使用してください。

利用・予約方法

利用・予約方法 ネットワーク予約
備考欄 学外者の利用料については、申込の都度、学内者の利用料単価及び利用形態を勘案し決定する。

料金

利用料金 利用時相談
トレーニング料金 利用時相談

管理者情報

管理者 清水 大雅
メールアドレス h-shmzcc.tuat.ac.jp (迷惑メール防止のため「@」が画像になっております。)
URL