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学外者利用可能設備一覧

反応性イオンエッチング装置

概要

設備名称 反応性イオンエッチング装置
設置場所 工学部6号館312室 (小金井キャンパス)
型式 立山マシン(株)製 TEP-Xd
概要 【設備の特徴】
 反応性イオンエッチング装置は、プラズマ(イオンの物理的なスパッタ効果と、ラジカルの化学的なエッチング効果の相乗効果)によって材料加工を行う装置である。
 本装置は卓上型のプラズマエッチング装置で、材料の微細加工だけでなく、MEMSの研究開発・試作加工に適している装置である。

【主な用途】
 シリコン、ガラス、サファイア、各種金属、石英、ポリカーボネートなどの微細加工

【基本仕様】
 ・プラズマ生成方法 :マグネトロン型(磁場支援型、容量結合方式)
       最大出力:100W
       ガス種 :SF6、Ar、O2
 ・チャンバー内寸  :123mmφ×75mmH
 ・処理可能基板サイズ:最大50mmφ

【注意事項】
 自己バイアスが高く強力な物理エッチングがかかる。マスク材はレジスト、Cr,Al等が利用可能。選択比等条件は要相談。

利用・予約方法

利用・予約方法 ネットワーク予約
備考欄 大学連携ネットワーク利用者以外の方は、設備管理者また本学 学術研究支援総合センター 設備サポート室まで直接、メールでお問い合わせください。

料金

利用料金 3,700円/時間
トレーニング料金 Max 1,400円/時間

管理者情報

管理者 岩見 健太郎
メールアドレス k_iwamicc.tuat.ac.jp (迷惑メール防止のため「@」が画像になっております。)
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