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学外者利用可能設備一覧

3元対向ターゲットスパッタ装置

概要

設備名称 3元対向ターゲットスパッタ装置
設置場所 工学部6号館312室 (小金井キャンパス)
型式 FTS製 NFTS-3S-R-0601
概要 設備名:3元対向ターゲットスパッタリング装置

設備の特徴(何をする設備or何ができる設備):
  金属および誘電体の薄膜を製膜する装置。同時に3種類のターゲットが利用可能。対向ターゲット型のため成膜レートは遅いが基板へのダメージが少なく良質な成膜が可能。

設備メーカー名:株式会社FTS

仕様:NFTS-3S-R-0601

利用制限(サンプルの種類、操作上の制限など):
基板サイズ:~φ2インチ、または~3cm角小片
 標準ターゲット:Au, Cr, Si(反応性スパッタリングによりSiO2, SiON可)
 在庫ターゲット:Al, ITO

利用・予約方法

利用・予約方法 ネットワーク予約
備考欄 大学連携ネットワーク利用者以外の方は、設備管理者また本学 学術研究支援総合センター 設備サポート室まで直接、メールでお問い合わせください。

料金

利用料金 標準製膜:4,000円/時間、但し金製膜100nmの場合、5,600円/時間。金の厚膜処理は1,000/100nmを利用料に加算
トレーニング料金 Max 1,400円/時間

管理者情報

管理者 岩見 健太郎
メールアドレス k_iwamicc.tuat.ac.jp (迷惑メール防止のため「@」が画像になっております。)
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